Транзистор P-MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, 30 шт., PG-TSOP-6
2 550 ₴
- В наявності
- Код: TM151460
Транзистор P-MOSFET Infineon BSL308PEH6327XTSA1, 30 шт., PG-TSOP-6В наявності
2 550 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від Infineon Technologies у комплекті з 30 штук. Модель BSL308PEH6327XTSA1 виконана в корпусі PG-TSOP-6 для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-TSOP-6, монтаж поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 80 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні характеристики
Пристрій є польовим транзистором з каналом типу P (P-MOSFET). Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 80 мОм.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ P3 і має версію ESD. Корпус PG-TSOP-6. У комплекті постачається 30 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 80 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технологія | OptiMOS™ P3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 550 ₴