Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSL307SPH6327XTSA1. Це польовий транзистор у корпусі PG-TSOP-6, з типом монтажу: поверхневий. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий
- Тип монтажу: Поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 43 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні характеристики
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 2 Вт та максимально допустиму напругу затвор-витік 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 43 мОм. Використовується технологія OptiMOS™ P.
Комплектація
У наборі міститься 20 транзисторів. Корпус компонента — PG-TSOP-6.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴

