Транзистор P-MOSFET Infineon BSL211SPH6327XTSA1, 2 Вт, PG-TSOP-6 (30 шт.)
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM151458
Транзистор P-MOSFET Infineon BSL211SPH6327XTSA1, 2 Вт, PG-TSOP-6 (30 шт.)В наявності
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSL211SPH6327XTSA1 — це польовий транзистор у корпусі PG-TSOP-6. Комплект складається з 30 одиниць, призначених для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-TSOP-6
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Опір у відкритому стані: 67 mOm
- Напруга затвор-витік: 12 В
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 67 mOm. Максимально допустима напруга затвор-витік зазначена як 12 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ P, що є специфічною характеристикою даної серії. Корпус: PG-TSOP-6. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У наборі постачається 30 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 67 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 600 ₴