Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSL207SPH6327XTSA1. Це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, з типом монтажу: поверхневий в корпусі PG-TSOP-6.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 41 мОм
- Тип монтажу: поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Технічні характеристики
Пристрій має максимальну потужність розсіювання 2 Вт та максимально допустиму напругу затвор-витік 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 41 мОм. Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ P.
Комплектація
У наборі постачається 20 шт. транзисторів. Корпус: PG-TSOP-6.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴

