Транзистор N-MOSFET Infineon BSC190N15NS3GATMA1, 150В, 50А, 125Вт (20 шт.)
2 770 ₴
- В наявності
- Код: TM151456
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC190N15NS3GATMA1, 150В, 50А, 125Вт (20 шт.)В наявності
2 770 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 50 А
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Опір у відкритому стані: 19 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 50 А. Максимальна потужність розсіювання становить 125 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 19 мОм.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус: PG-TSDSON-8. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 770 ₴