Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1, 80В, 55А, 66Вт, TDSON-8 (20 шт.)
2 910 ₴
- В наявності
- Код: TM151455
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1, 80В, 55А, 66Вт, TDSON-8 (20 шт.)В наявності
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC123N08NS3GATMA1 — це польовий транзистор у корпусі PG-TDSON-8. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 80 В
- Максимальний струм стоку: 55 А
- Потужність розсіювання: 66 Вт
- Опір у відкритому стані: 12.3 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 80 В, а струм стоку — 55 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 66 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 12.3 мОм.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TDSON-8 призначений для поверхневого монтажу. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 20 В.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 66 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 55 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 910 ₴