Транзистор N-MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, 30В, 53А, 35Вт (комплект 40 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM151454
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, 30В, 53А, 35Вт (комплект 40 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-MOSFET транзистор Infineon Technologies моделі BSC080N03MSGATMA1 у корпусі PG-TDSON-8. Це польовий транзистор з каналом збагачення. У комплекті поставляється 40 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 53 А
- Потужність розсіювання: 35 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 8 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а максимально допустимий струм стоку — 53 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 35 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 8 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TDSON-8 з поверхневим типом монтажу (SMD). Технологія: OptiMOS™ 3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 53 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴