Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170, 60В, 0.5А, TO92 (BS170-D75Z) — набір 90 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170 — це польовий транзистор з каналом типу «збагачення» у корпусі TO92. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 0.5 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 0.5 А
• Потужність розсіювання: 0.83 Вт
• Корпус: TO92, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 90 шт.

Електричні параметри та канал

Максимальна напруга сток-виток становить 60 В, а напруга затвор-виток обмежена 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 0.5 А, при цьому імпульсний струм може сягати 1.2 А. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 5000 мОм. Канал транзистора — збагачений (enhancement mode).

Потужність та технологія

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 0.83 Вт. Компонент виготовлений за технологією DMOS.

Комплектація та монтаж

У наборі постачається 90 шт. транзисторів. Компонент має вставний тип монтажу.