Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM151368
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 у корпусі TO247-4 із вбудованим діодом SiC SBD. Комплект складається з 3 одиниць із вставним типом монтажу.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 200 А
- Потужність розсіювання: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, вставний монтаж
- Комплект: 3 шт.
- Інтегрований діод SiC SBD
Технічні характеристики
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимально допустимий струм колектора — 200 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 357 Вт. Транзистор виготовлений за технологією Field Stop, Trench та має інтегрований антипаралельний діод SiC SBD.
Особливості конструкції
Корпус TO247-4, тип монтажу — вставний. Зарядка затвора становить 308 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Комплектація
У комплекті постачається 3 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 200 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴