Діод Taiwan Semiconductor BAV20 R0G, 200 В, 0,2 А, корпус DO35 — набір 400 шт.

Діод Taiwan Semiconductor BAV20 R0G у корпусі DO35 для монтажу в отвори (THT). Прилад розрахований на постійну зворотну напругу 200 В та прямий струм 0,2 А.

• Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В
• Максимальний прямий струм: 0,2 А
• Максимальна пряма напруга: 1,25 В
• Максимально допустимий прямий імпульсний струм: 4 А
• Ємність переходу: 5 пФ
• Час готовності: 50 нс
• Корпус: DO35, монтаж у отвори (THT)
• Кількість у комплекті: 400 шт.

Електричні параметри

Діод витримує максимальну постійну зворотну напругу 200 В та прямий струм 0,2 А. Максимальна пряма напруга становить 1,25 В, а перехідна ємність — 5 пФ. Ці характеристики визначають робочі режими компонента у електричних колах.

Імпульсні характеристики

Максимально допустимий прямий імпульсний струм дорівнює 4 А. Час готовності діода становить 50 нс, що характеризує швидкодію перемикання станів приладу.

Комплектація

У комплекті постачається 400 шт. діодів у корпусі DO35. Виріб призначений для монтажу в отвори (THT).