Інтегральна мікросхема ROHM SEMICONDUCTOR BA10358F-E2, операційний підсилювач, SO8, 500 кГц, 40 шт.

Двоканальна операційна мікросхема ROHM SEMICONDUCTOR BA10358F-E2 у корпусі SO8 для поверхневого монтажу. В упаковці 40 шт.

• Двоканальна операційна мікросхема
• Корпус SO8 для поверхневого монтажу
• Діапазон частот до 500 кГц
• Напруга живлення 3–32 В DC
• Вхідна напруга незбалансованості 7 мВ
• Упаковка 40 шт.

Технічні параметри

Мікросхема має два канали та працює в діапазоні частот до 500 кГц. Напруга живлення становить 3–32 В DC. Вхідна напруга незбалансованості дорівнює 7 мВ, а вхідний струм поляризації — 0,25 мкА.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі типу SO8 із поверхневим типом монтажу.

Електричні параметри входу та виходу

Вхідний струм незбалансованості становить 50 нА. Робоча температура мікросхеми — від -40 до 85 °C. Ці параметри визначають стабільність роботи компонента в різних умовах.