Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR SiC 1,2kV 45A (B3M040120H), 10 шт.

Транзистор N-MOSFET від бренду BASiC SEMICONDUCTOR, модель B3M040120H. Це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним струмом стоку 45 А та потужністю розсіювання 312 Вт. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO247-3.

• Максимальний струм стоку: 45 А
• Потужність розсіювання: 312 Вт
• Технологія: SiC (карбід кремнію)
• Корпус: TO247-3
• Тип монтажу: THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Потужність та струм

Прилад має максимально допустимий струм стоку 45 А та максимальну потужність розсіювання 312 Вт. Ці параметри визначають робочі режими компонента.

Технологія SiC та напруга

Використання технології SiC (карбід кремнію) відрізняє цей компонент від стандартних кремнієвих аналогів. Зазначена напруга в специфікації: 1,2kV.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO247-3. Монтаж виконується за технологією THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати.