Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H SiC 1200В 33А (набір 2 шт.)

Набір із двох силових транзисторів BASiC SEMICONDUCTOR B2M065120H на основі карбіду кремнію (SiC). Це N-канальні польові транзистори з максимальним струмом стоку 33 А та напругою 1,2 кВ.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга 1200 В
• Струм стоку 33 А (імпульсний 85 А)
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Опір у відкритому стані 65 мОм
• Корпус TO247-3, вставний монтаж

Карбід кремнію для високих навантажень

Транзистори виготовлені за технологією SiC. Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) — 65 мОм.

Висока напруга та струм

Прилад розрахований на напругу 1,2 кВ та постійний струм стоку 33 А. Імпульсний струм становить 85 А. Заряд затвора становить 60 нКл.

Комплектація

У комплекті поставляється 2 транзистори у корпусі TO247-3. Монтаж виконується вставним способом. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 18 В.