Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1, SiC, 650 В, 4 А, TO252-2 (комплект 30 шт.)

Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D04065E1 — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO252-2 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць. Максимальна постійна зворотна напруга — 650 В, максимальний прямий струм — 4 А.

• Комплект із 30 діодів Шотткі
• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Корпус TO252-2 для монтажу SMD
• Максимальна напруга 650 В
• Прямий струм 4 А
• Розсіювана потужність 39 Вт
• Струм витоку 20 мкА

Висока напруга та струм

Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В та прямий струм 4 А. Максимальна постійна зворотна напруга — 650 В, максимальний прямий струм — 4 А.

Технологія SiC та параметри

Максимальна пряма напруга становить 1,6 В, а максимальна потужність розсіювання — 39 Вт.

Компактний корпус SMD

Компонент виконаний у корпусі TO252-2 для технології поверхневого монтажу (SMD).

Імпульсний струм та структура

Діод має структуру «одиночний діод» (pojedyncza dioda) та витримує максимальний імпульсний струм 31 А. Максимально допустимий прямий імпульсний струм становить 31 А.