Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK SiC 1200В 27А

Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HK — це польовий транзистор типу N-MOSFET, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Пристрій розрахований на напругу стік-витік 1,2 кВ та струмом стоку 27 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
• Технологія виготовлення: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга стік-витік: 1200 В
• Максимальний струм стоку: 27 А (імпульсний 80 А)
• Опір у відкритому стані (Rds): 80 мОм
• Потужність розсіювання: 241 Вт
• Корпус: TO247-4, монтаж вставний

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу стік-витік 1,2 кВ та постійний струм стоку 27 А. Імпульсний струм становить 80 А. Заряд затвора дорівнює 149 нКл.

Потужність та опір

Максимальна потужність розсіювання становить 241 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 80 мОм.

Корпус та конструкція

Компонент виконаний у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Тип монтажу — вставний. Поляризація транзистора — уніполярна.