Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, 60В, 0,3А, SOT23, 150 шт.
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM150317
Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2, 60В, 0,3А, SOT23, 150 шт.В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002H6327XTSA2 — це уніполярний польовий транзистор, з типом монтажу: поверхневий (SMD). Комплект складається зі 150 одиниць у корпусі PG-SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 0,3 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Корпус: PG-SOT23 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та струмом стоку 0,3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) становить 4000 мОм (4 Ом).Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
Технологія та корпус
Виріб виготовлено за технологією OptiMOS™. Корпус PG-SOT23, тип монтажу: поверхневий.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴