Транзистор WAYON WMS11P04T1 P-MOSFET, -40 В, -10,5 А, 3,1 Вт, SOP8 (50 шт.)

Транзистор WAYON WMS11P04T1 — польовий транзистор типу P-MOSFET у корпусі SOP8 з поверхневим типом монтажу. У назві товару TME для нього вказано -40 В, -10,5 А та 3,1 Вт. У комплекті 50 шт.

• P-MOSFET: -40 В, -10,5 А
• Імпульсний струм стоку: -42 А
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 19 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 3,1 Вт
• Корпус SOP8, у комплекті 50 шт.

Тип транзистора

MOSFET — польовий транзистор зі структурою метал-оксид-напівпровідник, а літера P у позначенні вказує на P-канал. За даними TME транзистор уніполярний. Тип каналу — збагачуваний.

Напруга та струм

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Імпульсний струм стоку становить -42 А.

Опір і заряд затвора

Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 19 мОм. Позначення Rds означає опір між стоком і витоком. Заряд затвора становить 35 нКл.

Потужність і корпус

Максимальна потужність розсіювання становить 3,1 Вт. Транзистор виконано в корпусі SOP8, тип монтажу — поверхневий.

Комплектація

У комплекті 50 транзисторів WAYON WMS11P04T1. Код набору в каталозі TME — WMS11P04T1-CYG.