Транзистор WAYON WMS10DH04TS, N/P-MOSFET, SOP8, 40 В, 10 А (комплект 50 шт.)

Комплект із 50 транзисторів WAYON WMS10DH04TS типу N/P-MOSFET у корпусі SOP8. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 40 В і струмом до 10 А.

• Комплект із 50 транзисторів
• Тип: N/P-MOSFET, збагачений канал
• Корпус SOP8, монтаж SMD
• Напруга дрена-джерела: 40 В / -40 В
• Струм дрена: 10 А / -8 А
• Потужність розсіювання: 3 Вт
• Опір у стані провідності: 16 мОм / 33 мОм

Електричні параметри

Транзистори мають напругу дрена-джерела 40 В (для N-каналу) та -40 В (для P-каналу). Максимальний струм дрена становить 10 А для N-каналу та -8 А для P-каналу. Потужність розсіювання дорівнює 3 Вт. Напруга затвор-джерела обмежена ±20 В.

Опір та заряд затвора

Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 16 мОм для N-каналу та 33 мОм для P-каналу. Заряд затвора (Qg) — 26 нКл для N-каналу та 30 нКл для P-каналу.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі SOP8, для монтажу на поверхню (SMD). Канал транзисторів збагачений (enhancement mode), що є стандартним для MOSFET-приладів. Поляризація транзисторів — уніполярна.