Транзистор N-MOSFET WAYON WMO11N65C4, 650V, 4.8A, TO252 (30 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM114813
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO11N65C4, 650V, 4.8A, TO252 (30 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMO11N65C4 — це N-канальний MOSFET з технологією WMOS™ C4,. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 4,8 А (постійний), 19 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 57 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Технологія: WMOS™ C4
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 4,8 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 19 А. Максимальна розсіювана потужність становить 57 Вт.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією WMOS™ C4. Корпус TO252 та тип монтажу SMD. Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Напруга затвор-джерело становить ±30 В. Опір у стані провідності дорівнює 0,56 Ом. Заряд затвора — 2,1 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 57 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 560 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ C4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴