Транзистор N-MOSFET WAYON WMO099N10LGS, 100В, 43А, TO252 (WMO099N10LGS-CYG) — набір 30 шт.
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM114811
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO099N10LGS, 100В, 43А, TO252 (WMO099N10LGS-CYG) — набір 30 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMO099N10LGS — це N-MOSFET з напругою 100 В та струмом 43 А у корпусі TO252. Комплект складається з 30 одиниць для SMD-монтажу.
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Постійний струм дрена 43 А
- Імпульсний струм до 268 А
- Розсіювана потужність 89,3 Вт
- Опір у стані провідності 14 мОм
- Корпус TO252 для SMD-монтажу
- Комплект із 30 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 100 В та постійним струмом дрена 43 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 268 А, а розсіювана потужність становить 89,3 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 14 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO252, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 59 нКл.
Комплектація
У комплекті постачається 30 транзисторів WAYON WMO099N10LGS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 89.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 43 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴