Транзистор WAYON WMMB020N10HG4, N-MOSFET, 100 В, 238 А, TO263-7 (набір 10 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM114810
Транзистор WAYON WMMB020N10HG4, N-MOSFET, 100 В, 238 А, TO263-7 (набір 10 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMMB020N10HG4 — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 238 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 2.5 мОм
- Корпус: TO263-7, монтаж: Поверхневий
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 238 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 2.5 мОм.
Потужність та керування затвором
Максимальна потужність розсіювання транзистора — 277.8 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Імпульсний струм стоку (Idm) може досягати 952 А, а заряд затвора становить 123.4 нКл. Транзистор має збагачуваний канал і є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 277.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 238 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263-7 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴