
Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4, 100V, 238A, TO263-7 (10 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM114810
Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму. Модель розрахована на напругу 100 В та постійний струм 238 А, що робить її придатною для силових схем із високим навантаженням.
- Струм стоку 238 А
- Імпульсний струм 952 А
- Напруга стік-витік 100 В
- Потужність розсіювання 277,8 Вт
- Опір у стані провідності 2,5 мОм
- Корпус TO263-7 (SMD)
- Упаковка: 10 шт.
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує постійний струм стоку 238 А та імпульсний струм до 952 А. Це вказує на здатність витримувати короткочасні пікові струми.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 277,8 Вт. Таке значення вказує на здатність компонента розсіювати значну потужність.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 2,5 мОм. Низьке значення опору сприяє зменшенню теплових втрат на компоненті.
Зручний монтаж та комплектація
Компонент виконаний у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 10 штук. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвору — 123,4 нКл.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 277.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 238 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263-7 |
| Виробник | WAYON |
- Ціна: 2 120 ₴
