Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4, 100V, 238A, TO263-7 (10 шт.)

2 120 ₴

  • В наявності
  • Код: TM114810
Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4, 100V, 238A, TO263-7 (10 шт.)
Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4, 100V, 238A, TO263-7 (10 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMMB020N10HG4 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму. Модель розрахована на напругу 100 В та постійний струм 238 А, що робить її придатною для силових схем із високим навантаженням.

  • Струм стоку 238 А
  • Імпульсний струм 952 А
  • Напруга стік-витік 100 В
  • Потужність розсіювання 277,8 Вт
  • Опір у стані провідності 2,5 мОм
  • Корпус TO263-7 (SMD)
  • Упаковка: 10 шт.

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку 238 А та імпульсний струм до 952 А. Це вказує на здатність витримувати короткочасні пікові струми.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 277,8 Вт. Таке значення вказує на здатність компонента розсіювати значну потужність.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 2,5 мОм. Низьке значення опору сприяє зменшенню теплових втрат на компоненті.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO263-7 для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 10 штук. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвору — 123,4 нКл.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання277.8 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік100 В
Максимально допустимий струм стоку238 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.5 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO263-7
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 120 ₴