Транзистор WAYON WMB26DN06TS, N-MOSFET x2, 60V, 26A, PDFN5060-8 (40 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM114792
Транзистор WAYON WMB26DN06TS, N-MOSFET x2, 60V, 26A, PDFN5060-8 (40 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 40 транзисторів WAYON WMB26DN06TS — це подвійні N-MOSFET транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 60 В та струм 26 А. Призначені для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PDFN5060-8.
- Подвійний N-MOSFET транзистор (x2) у одному корпусі
- Напруга стік-витік 60 В, струм стіка 26 А
- Імпульсний струм стіка 104 А
- Розсіювана потужність 39 Вт
- Опір у відкритому стані 32 мОм
- Корпус PDFN5060-8 для SMD монтажу
- Комплект: 40 штук
Електричні параметри
Транзистори мають напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 26 А. Імпульсний струм стіка досягає 104 А, а розсіювана потужність становить 39 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 32 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі PDFN5060-8 для технології поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзисторів — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 22 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 26 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴