P-канальний MOSFET-транзистор WAYON WM05P02G у корпусі SOT323 для SMD-монтажу. Комплект складається з 60 одиниць із максимальним постійним струмом стока -200 мА.
- Тип: P-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: -50 В
- Струм стіка: -200 мА (імпульсний -0,8 А)
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Корпус: SOT323, монтаж SMD
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік -50 В та постійний струм стіка -200 мА. Імпульсний струм може досягати -0,8 А, а розсіювана потужність становить 0,3 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 3 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у поверхневому корпусі SOT323. Версія ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT323 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴

