Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET WAYON WM02P14G, SOT323, -20В, -1,4А (WM02P14G-CYG) — набір 60 шт.

1 940 ₴

  • В наявності
  • Код: TM114785
Транзистор P-MOSFET WAYON WM02P14G, SOT323, -20В, -1,4А (WM02P14G-CYG) — набір 60 шт.
Транзистор P-MOSFET WAYON WM02P14G, SOT323, -20В, -1,4А (WM02P14G-CYG) — набір 60 шт.В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор P-MOSFET WAYON WM02P14G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в компактному корпусі SOT323 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 60 штук.

  • Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Корпус: SOT323, монтаж SMD
  • Напруга стік-витік: -20 В
  • Струм стіка: -1,4 А (імпульсний -5,6 А)
  • Опір у відкритому стані: 70 мОм
  • Комплект: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -20 В та постійний струм стіка -1,4 А. Напруга затвор-витік становить ±12 В. Імпульсний струм становить -5,6 А. Опір у відкритому стані становить 70 мОм.

Монтаж та корпус

Компонент виготовлений у корпусі SOT323 для монтажу SMD. Максимальна розсіювана потужність становить 0,3 Вт. Заряд затвора дорівнює 4,9 нКл.

Комплектація

Товар постачається як набір із 60 транзисторів WAYON WM02P14G.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання0.3 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12 В
Опір у відкритому стані (Rds)70 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті60 шт.
КорпусSOT323
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 940 ₴