Транзистор WAYON WM02DN08D N-MOSFET x2 SOT363, 20V, 800mA (60 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM114784
Транзистор WAYON WM02DN08D N-MOSFET x2 SOT363, 20V, 800mA (60 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WM02DN08D — це набір із 60 компонентів типу N-MOSFET x2 у корпусі SOT363. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 20 В.
- Тип: N-MOSFET x2 (подвійний транзистор)
- Корпус: SOT363, монтаж SMD
- Напруга витоку-виток: 20 В
- Струм витоку: 0,8 А (імпульсний 3 А)
- Опір у провідному стані: 0,25 Ом
- Кількість у наборі: 60 шт.
Електричні параметри
Компонент є уніполярним N-MOSFET транзистором із двома каналами в одному корпусі. Максимальний струм витоку становить 0,8 А, а імпульсний струм — 3 А. Напруга витоку-виток дорівнює 20 В, а напруга затвор-виток — ±10 В. Опір у провідному стані — 0,25 Ом.
Корпус та монтаж
Транзистори виконані в корпусі SOT363 для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Комплектація та потужність
У наборі постачається 60 транзисторів WAYON WM02DN08D. Потужність розсіювання кожного компонента становить 0,3 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT363 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴