
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2, 650 В, 13 А, TO247, 5 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM114390
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2 — це напівпровідниковий прилад технології MDmesh™ M2 у корпусі TO247. Комплект складається з 5 одиниць з робочим струмом 13 А, імпульсним струмом до 80 А та напругою 650 В.
- Струм стоку 13 А та імпульсний струм 80 А
- Напруга стік-виток 650 В
- Опір у відкритому стані 0,18 Ом
- Розсіювана потужність 170 Вт
- Корпус TO247, монтаж THT
- Комплект: 5 транзисторів
Тип транзистора та канал
Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 650 В, а напруга затвор-виток обмежена ±25 В. Опір у відкритому стані дорівнює 0,18 Ом.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 170 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO247 з типом монтажу THT (навісний). Транзистор має версію ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴
