Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2, 650 В, 13 А, TO247, 5 шт.

2 120 ₴

  • В наявності
  • Код: TM114390
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2, 650 В, 13 А, TO247, 5 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2, 650 В, 13 А, TO247, 5 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW28N65M2 — це напівпровідниковий прилад технології MDmesh™ M2 у корпусі TO247. Комплект складається з 5 одиниць з робочим струмом 13 А, імпульсним струмом до 80 А та напругою 650 В.

  • Струм стоку 13 А та імпульсний струм 80 А
  • Напруга стік-виток 650 В
  • Опір у відкритому стані 0,18 Ом
  • Розсіювана потужність 170 Вт
  • Корпус TO247, монтаж THT
  • Комплект: 5 транзисторів

Тип транзистора та канал

Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 650 В, а напруга затвор-виток обмежена ±25 В. Опір у відкритому стані дорівнює 0,18 Ом.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 170 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO247 з типом монтажу THT (навісний). Транзистор має версію ESD.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання170 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік25 В
Максимально допустима напруга стік-витік650 В
Максимально допустимий струм стоку13 А
Опір у відкритому стані (Rds)180 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті5 шт.
КорпусTO247
ТехнологіяMDmesh™ M2
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 120 ₴