Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD, 600V, 12.6A, TO247 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD — це уніполярний напівпровідниковий прилад із технологією FDmesh™, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247, що забезпечує зручність для серійного монтажу та заміни компонентів у електронних пристроях.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 12,6 А
• Потужність розсіювання: 214 Вт
• Опір у стані провідності: 0,26 Ом
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Технологія: FDmesh™
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 12,6 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високими навантаженнями. Така потужність розсіювання 214 Вт гарантує стабільну роботу при інтенсивних навантаженнях без перегріву.

Технологія FDmesh™

Використання технології FDmesh™ забезпечує низький опір у стані провідності 0,26 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Це важливо для підвищення ефективності імпульсних джерел живлення та інверторів.

Комплектація та монтаж

У комплекті постачається 5 транзисторів, що є вигідним рішенням для серійного виробництва або заміни компонентів. Тип монтажу THT (скрізний монтаж) спрощує процес встановлення на друковані плати без використання поверхневого монтажу.