Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N, 600В, 8,19А, TO247 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом,. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO247, що забезпечує зручний монтаж на друковані плати.

• Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга дренаж-джерело 600 В
• Постійний струм дренажу 8,19 А
• Імпульсний струм до 52 А
• Розсіювана потужність 130 Вт
• Корпус TO247 для монтажу THT

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дренаж-джерело 600 В та постійний струм дренажу 8,19 А.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дренажу до 52 А та має розсіювану потужність 130 Вт. Такі характеристики важливі для схем із різкими піками навантаження, забезпечуючи надійність роботи при короткочасних перевантаженнях.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO247 з технологією монтажу THT (скрізь отвори). Це спрощує процес встановлення на друковані плати.

Електричні параметри

Опір у стані провідності становить 0,25 Ом, а заряд затвора — 34 нКл. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±25 В. Ці параметри визначають ефективність перемикання та теплові режими роботи транзистора в динамічних режимах.