Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW14NK50Z, 500В, 14А, TO247 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW14NK50Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі TO247 з технологією SuperMesh™ та має вбудований захист від електростатичного розряду (ESD). Комплект складається з 10 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
• Струм дрена: 14 А
• Потужність розсіювання: 150 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Технологія: SuperMesh™, версія ESD
• Опір у стані провідності: 0,38 Ом
• Комплектація: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 14 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 150 Вт, що потребує ефективного відведення тепла. Корпус TO247 з монтажем THT (скрізь отвори) забезпечує механічну міцність та зручність кріплення до плати або тепловідводу.

Захист від статичної електрики

Версія ESD включає вбудований захист від електростатичного розряду на затворі. Це знижує ризик пошкодження компонента під час монтажу та експлуатації. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,38 Ом.

Транзистор STW14NK50Z призначений для використання в електронних пристроях. Комплект містить 10 одиниць.