Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3, 525В, 2А, IPAK (набір 30 шт.)
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM114386
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3, 525В, 2А, IPAK (набір 30 шт.)В наявності
1 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU4N52K3 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, виконаний у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 525 В
- Струм дрена: 2 А
- Розсіювана потужність: 45 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж THT
- Технологія: SuperMESH3™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 525 В та струм дрена 2 А. Максимальна розсіювана потужність становить 45 Вт, а опір у стані провідності — 2,6 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Технологія SuperMESH3™
Прилад виготовлений за технологією SuperMESH3™. Версія: ESD.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у корпусі IPAK для монтажу в отвори (THT). У набір входить 30 транзисторів STU4N52K3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 525 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2600 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | SuperMESH3™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴