Тиристорний модуль SIRECTIFIER STT116GK16B — це напівпровідниковий компонент із подвійною послідовною структурою. Модуль забезпечує номінальний струм провідності 116 А та витримує зворотну напругу до 1,6 кВ.
- Номінальний струм провідності 116 А
- Максимальна зворотна напруга 1,6 кВ
- Максимальний струм провідності 180 А
- Імпульсний струм до 2 кА
- Корпус розміром 21 мм
- Монтаж через конектори FASTON або прикручування
Основні електричні характеристики
Модуль працює з номінальним струмом провідності 116 А, а максимальний струм провідності (Ifmax) становить 180 А. Максимальна напруга провідності дорівнює 1,5 В, а порогова напруга включення — 0,8 В. Прилад витримує зворотну напругу до 1,6 кВ та імпульсний струм до 2 кА.
Конструкція та фізичні параметри
Компонент має подвійну послідовну структуру напівпровідника та виготовлений у корпусі розміром 21 мм. Елементи мають скляне пасивування (glass passivated). Механічний монтаж здійснюється за допомогою прикручування, а електричне підключення реалізовано через конектори FASTON або прикручування.
Механічний та електричний монтаж
Для активації модуля використовується струм керуючого електрода (брамки) 150 мА. Цей параметр визначає вимоги до схеми керування та потужності керуючого сигналу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Sirectifier |
| Максимальний струм у відкритому стані | 116 А |
| Мінімальний струм управління | 0.15 А |
| Напруга вмикання | 1.5 В |
| Спосіб монтажу | Різьбовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Корпус | 21MM |
- Ціна: 1 910 ₴

