Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N60M2, 650В, 5А, TO220-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N60M2 — це уніполярний польовий транзистор з каналом, що збагачується. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту електронних пристроїв.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Постійний струм стіка: 5 А, імпульсний: 20 А
• Розсіювана потужність: 60 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 5 А. Імпульсний струм може досягати 20 А. Напруга затвор-витік становить ±25 В, а заряд затвора — 8,8 нКл.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 60 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,95 Ом. Ці параметри визначають тепловий режим роботи компонента у схемі.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з монтажем THT (скрізний монтаж). Комплект містить 20 транзисторів, що зручно для серійного монтажу або ремонту.