Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6N60M2, 600В, 2,9А, TO220-3, набір 20 шт.
3 520 ₴
- В наявності
- Код: TM114344
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6N60M2, 600В, 2,9А, TO220-3, набір 20 шт.В наявності
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP6N60M2 у корпусі TO220-3. Призначені для монтажу на плату (THT) та роботи в схемах із напругою до 600 В та струмом до 2,9 А.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 2,9 А
- Потужність розсіювання: 60 Вт
- Опір у стані провідності: 1,2 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Набір: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В. Максимальний струм дрена становить 2,9 А, а потужність розсіювання — 60 Вт.
Технологія MDmesh™ II Plus та опір
Використання технології MDmesh™ II Plus від STMicroelectronics забезпечує низький опір у стані провідності (1,2 Ом). Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.
Версія ESD та монтаж
Компонент має версію ESD. Монтаж виконується методом THT (навісний монтаж).
Електричні параметри та монтаж
У комплекті постачається 20 транзисторів STP6N60M2 у корпусі TO220-3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 520 ₴