Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK60Z, 600 В, 2,5 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP4NK60Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Струм стоку: 2,5 А, потужність розсіювання: 70 Вт
• Корпус TO220-3, монтаж у отвори (THT)
• Технологія SuperMesh™, версія ESD
• Набір із 10 транзисторів

Електричні параметри

Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 2,5 А. Потужність розсіювання становить 70 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 2 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В, що визначає допустимий діапазон керуючих сигналів.

Технологія та конструкція

Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його ключові характеристики. Корпус TO220-3. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів STP4NK60Z.