Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM114340
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD, 600В, 12,6А, TO220-3 (3 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60FD — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-сорс: 600 В
- Струм стіка: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 45 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри
Прилад є уніполярним N-MOSFET транзистором з каналом збагачення. Максимальна напруга стік-сорс становить 600 В, а постійний струм стіка — 12,6 А. Потужність розсіювання дорівнює 45 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Технологія та опір
Транзистор виготовлений за технологією FDmesh™, що впливає на його електричні параметри. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,29 Ом. Допустима напруга затвор-сорс обмежена значенням ±30 В.
Монтаж та комплектація
Транзистори мають корпус TO220-3 та призначені для монтажу на плату (THT). У пакеті постачання знаходиться 3 транзистори STP20NM60FD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 290 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | FDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴