Транзистор STMicroelectronics STP20N65M5, N-MOSFET, 650 В, 11,3 А, 130 Вт (набір 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STP20N65M5 — це польовий N-MOSFET з технологією MDmesh™ V. Модель має максимальну напругу стік-витік 650 В, максимальний струм стоку 11,3 А та потужність розсіювання 130 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 11,3 А
• Потужність розсіювання: 130 Вт
• Опір у відкритому стані: 190 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ V
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 650 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 11,3 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 190 мОм. Ці характеристики визначають робочі межі компонента в електричних ланцюгах.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Версія компонента: ESD.

Комплектація

У наборі постачається 10 шт. транзисторів STP20N65M5.