Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N65M5, 650 В, 11,3 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N65M5 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ V. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту електронних пристроїв.

• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 11,3 А
• Потужність розсіювання: 130 Вт
• Опір у стані провідності: 0,19 Ом
• Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
• Технологія: MDmesh™ V
• Захист: версія ESD
• Комплектація: набір із 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та струм дрена 11,3 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних схемах, де потрібна надійна комутація значних навантажень без перегріву.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 130 Вт, що є високим показником для корпусу такого типу. Завдяки цьому транзистор може працювати в режимах із підвищеним тепловиділенням, якщо забезпечено належне охолодження радіатором.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 0,19 Ом. Таке значення мінімізує втрати енергії на нагріванні компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою та зменшує навантаження на систему охолодження.

Захист від статичної електрики

Компонент має версію ESD, що вказує на підвищену стійкість до електростатичних розрядів. Це спрощує процес монтажу та експлуатації, зменшуючи ризик пошкодження транзистора під час обслуговування або випадкового контакту з наелектризованими предметами.

Зручний монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 для монтажу на поверхню друкованої плати (THT). Такий формат є стандартом для силових компонентів, що дозволяє легко інтегрувати його в існуючі схеми та замінювати аналогічні деталі.