Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM80, 800 В, 11 А, TO220-3 (5 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM114334
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM80, 800 В, 11 А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM80 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 з технологією MDmesh™.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга сток-джерело: 800 В
- Струм стоку: 11 А
- Розсіювана потужність: 150 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 800 В та струм стоку 11 А. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт, а опір у відкритому стані — 0,4 Ом. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±30 В.
Корпус та технологія
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється вивідним методом (THT). Використовується технологія MDmesh™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴