Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, 600В, 0,4А, SOT223, набір 20 шт.
3 000 ₴
- В наявності
- Код: TM114331
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60, 600В, 0,4А, SOT223, набір 20 шт.В наявності
3 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60 у корпусі SOT223. Транзистор N-MOSFET з напругою дрена-джерела 600 В.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 0,4 А
- Потужність розсіювання 3,3 Вт
- Корпус SOT223, монтаж SMD
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Набір із 20 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 600 В та струм дрена 0,4 А. Підходить для застосувань, що вимагають роботи з високою напругою.
Надійність та захист
Версія ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду, що знижує ризик пошкодження компонентів під час монтажу та експлуатації. Використовується технологія SuperMesh™.
Зручний монтаж
Корпус SOT223 та тип монтажу SMD забезпечують компактне розміщення на друкованих платах. Потужність розсіювання становить 3,3 Вт.
Електричні параметри та монтаж
У комплекті 20 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а опір у стані провідності — 8,5 Ом. Монтаж виконується методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 000 ₴