Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3, 100В, 20А, PowerFLAT 5x6 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 20 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Постійний струм дрена: 20 А, імпульсний: 31,2 А
• Розсіювана потужність: 70 Вт
• Опір у стані провідності: 35 мОм
• Корпус: PowerFLAT 5x6, монтаж SMD
• У комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор витримує напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 20 А. Імпульсний струм дрена може досягати 31,2 А, а максимальна розсіювана потужність становить 70 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 35 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PowerFLAT 5x6, що дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 20,5 нКл.

Застосування та комплектація

Транзистор призначений для застосування в автомобільній галузі. Товар постачається набором із 10 транзисторів.