Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT60H65DFB, 650В, 60А, TO3P (5 шт.)

IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWT60H65DFB у корпусі TO3P для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 60 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 60 А (240 А в імпульсі)
• Розсіювана потужність: 375 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Потужність та струм

Номінальний струм колектора становить 60 А, а у імпульсному режимі він може досягати 240 А. Максимальна розсіювана потужність елемента — 375 Вт.

Напруга та заряд затвора

Допустима напруга затвор-емітер обмежена значенням ±20 В. Заряд затвора становить 306 нКл.

Корпус та комплектація

Транзистор виконаний у корпусі TO3P із виводами для монтажу на плату (THT). Пристрій має інтегрований антипаралельний діод. У комплекті поставляється 5 елементів.