Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75H65DFB2, 650В, 75А, TO247-3 (5 шт.)
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM114298
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA75H65DFB2, 650В, 75А, TO247-3 (5 шт.)В наявності
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 у корпусі TO247-3 для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 75 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 75 А (225 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 357 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 75 А. У імпульсному режимі струм може досягати 225 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт, а напруга на затворі обмежена ±30 В.
Корпус та монтаж
Елемент виконаний у корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється виводами в отвори друкованої плати (THT). Загальний заряд затвора дорівнює 207 нКл.
Вбудований діод
У конструкцію транзистора інтегрований антипаралельний діод.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 225 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴