Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75M65DF2, 650В, 75А, TO247-3 (5 шт.)

Транзистор IGBT STGW75M65DF2 від STMicroelectronics — це потужний напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-3, призначений для роботи з високими напругами та струмами. Комплект складається з 5 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Струм колектора 75 А
• Напруга колектор-емітер 650 В
• Потужність розсіювання 468 Вт
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Вбудований антипаралельний діод
• Комплект: 5 шт.

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм колектора 75 А та імпульсний струм до 225 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями. Потужність розсіювання становить 468 Вт, що вимагає ефективного відведення тепла.

Надійність у високовольтних схемах

Максимальна напруга колектор-емітер дорівнює 650 В, що робить транзистор придатним для промислових інверторів та джерел живлення.

Зручна інтеграція та монтаж

Компонент має вбудований антипаралельний діод, що спрощує схемотехніку та зменшує кількість зовнішніх елементів. Монтаж виконується технологією THT (скрізь отвори), а корпус TO247-3 забезпечує надійне кріплення до радіатора.

Керування та параметри затвора

Заряд затвора становить 225 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера керування. Цей параметр важливий для оптимізації втрат на перемикання у високочастотних схемах. Напруга затвор-емітер ±20 В є стандартною для більшості контролерів IGBT, що спрощує інтеграцію транзистора в існуючі системи керування без додаткових адаптерів рівнів.