Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10M65DF2, 650В, 10А, TO220AB (20 шт.)
3 200 ₴
- В наявності
- Код: TM114290
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP10M65DF2, 650В, 10А, TO220AB (20 шт.)В наявності
3 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP10M65DF2 у корпусі TO220AB має напругу колектор-емітер 650 В. Комплект із 20 одиниць забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Напруга колектор-емітер 650 В
- Номінальний струм колектора 10 А
- Імпульсний струм до 40 А
- Розсіювана потужність 115 Вт
- Корпус TO220AB з монтажем THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплект із 20 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та номінальним струмом колектора 10 А. Імпульсний струм може досягати 40 А.
Вбудований діод та монтаж
Компонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Корпус TO220AB. Розсіювана потужність до 115 Вт.
Зручний комплект для виробництва
Упаковка містить 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 40 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 200 ₴