Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N, 600V, 11A, TO220FP (10 шт.)
3 640 ₴
- В наявності
- Код: TM114282
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N, 600V, 11A, TO220FP (10 шт.)В наявності
3 640 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ II. Комплект із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Максимальний струм дрена: 11 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: 10 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 11 А. Ці параметри визначають область застосування компонента.
Ефективне розсіювання тепла
Потужність розсіювання становить 30 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Корпус TO220FP з монтажем THT (через отвори).
Технологія MDmesh™ II
Використання технології MDmesh™ II від STMicroelectronics.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 640 ₴