Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5, 650В, 18А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM114281
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5, 650В, 18А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF20N65M5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 18 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220FP для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 18 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Опір у стані провідності: 0,19 Ом
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія виробництва: MDmesh™
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Технічні характеристики
Прилад має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 18 А. Потужність розсіювання становить 30 Вт, а опір у стані провідності — 0,19 Ом. Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™, що забезпечує його електричні параметри.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Монтаж здійснюється в отвори (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴