Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM80, 800В, 11А, TO220FP (5 шт.)
2 930 ₴
- В наявності
- Код: TM114278
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM80, 800В, 11А, TO220FP (5 шт.)В наявності
2 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM80 — це уніполярний компонент із технологією MDmesh™. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220FP.
- Максимальна напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 11 А
- Потужність розсіювання 35 Вт
- Корпус TO220FP із технологією MDmesh™
- Захист від електростатичного розряду (ESD)
- Комплект із 5 транзисторів
Електричні параметри
Максимальна напруга дрена-джерела становить 800 В, а струм дрена — 11 А. Транзистор є уніполярним із каналом типу wzbogacany (збагачуваний).
Потужність та корпус
Потужність розсіювання становить 35 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO220FP із застосуванням технології MDmesh™.
Захист ESD
Транзистор має версію ESD.
Монтаж та комплектація
Компонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж). У комплекті постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 930 ₴