Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10N65K3, 650В, 10А, TO220FP (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10N65K3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під навантаженням до 650 В та струмом 10 А. Товар постачається набором із 20 штук у корпусі TO220FP, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту електронних пристроїв.

• Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-виток 650 В
• Номінальний струм стоку 10 А
• Імпульсний струм до 40 А
• Корпус TO220FP для монтажу THT
• Розсіювана потужність 35 Вт

Висока напруга та струм

Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 650 В, що визначає його робочий діапазон у силових схемах. Номінальний струм стоку становить 10 А, а імпульсний струм може досягати 40 А, що забезпечує запас міцності при короткочасних перевантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 35 Вт, що вимагає належного охолодження при роботі на високих навантаженнях. Низький опір у відкритому стані (1 Ом) зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з виводами для монтажу на поверхню друкованої плати (THT). Таке виконання забезпечує надійний контакт та простоту заміни транзистора при обслуговуванні обладнання.

Керування та заряд затвора

Заряд затвора становить 42 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Максимальна напруга затвор-виток обмежена ±30 В, що вимагає дотримання параметрів керуючого сигналу для безпечної роботи компонента.