Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4, 400В, 3,4А, DPAK (набір 10 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM114275
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4, 400В, 3,4А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачуваний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 400 В
- Струм дрена: 3,4 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 400 В та струм дрена 3,4 А. Потужність розсіювання становить 70 Вт, а опір у стані провідності — 1 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Канал збагачуваний, що відповідає стандартній схемі керування для MOSFET.
Корпус та технологія
Прилад виконаний у корпусі DPAK. Використовується технологія SuperMesh™. Версія: ESD.
Комплектація
У пакеті постачається 10 транзисторів STD7NK40ZT4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 400 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴